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  德州仪器(TI)近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器,进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合,可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率,并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。

  凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度,LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片(WCSP)封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm,有助于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗,进一步提升效率。

  LMG1020和LMG1210是业界最大的GaN电源产品组合中的最新成员,从200V驱动器到80V和600V功率级。凭借超过1,000万小时的GaN工艺可靠性测试,TI提供可靠的GaN产品以满足对成熟和即用型解决方案的需求,为GaN技术带来数十年的硅制造专业技术和高级器件开发人才。

  设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN功率级参考设计,快速开始氮化镓设计。

  ●高速:这两款器件可提供超高速传播延迟(2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]),使电源解决方案比采用硅驱动器快50倍。另外,LMG1020能够提供高功率1ns激光脉冲,实现远程LIDAR应用。

  ●高效率:这两款器件均可实现高效率设计。LMG1210提供1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制,可将效率提高多达5%。

  ●功率密度:LMG1210中的死区时间控制集成功能可减少元件数量并提高效率,使设计人员能够将电源尺寸降低多达80%。功率密度增加的LMG1020,使LIDAR具有业内最小封装和最高分辨率。

  2018年3月13日讯全球领先的测量解决方案提供商泰克科技公司日前推出EMCVu一种用于EMI/EMC预一致性测试和问题调试的新型整体解决方案。在当今电子设计环境中,大约有一半的产品会在首次电磁兼容性(EMC)测试中出现问题。EMCVu为工程师提供了一种准确、方便、经济的方法,评估其产品设计能否第一次就通过EMC一致性测试。

  对于刚刚开始使用物联网设备的许多工程师而言,他励直流电机启动原理EMI/EMC测试令人困扰,而一致性测试失败会导致严重的成本增加和产品上市时间延迟。预一致性测试可以降低通过一致性测试失败概率,但也有其自身的挑战,比如设备设置困难、成本高、测试准确性存疑,调试难度大,缺少报告编制工具等。

  “满足EMC一致性测试首先要求其设计、环亚国际APP,电路板布局和元件选型合理,但即使在最好的环境中,如果没有预一致性测试,那么想通过一致性测试也是一种冒险。”Wyatt Technical Services首席顾问及EMC一致性测试专家Kenneth Wyatt说,“我强烈支持泰克EMCVu所做的工作,让更多的工程师可以实现预一致性测试,即使是缺乏深入EMC专业知识的工程师也能受益匪浅。

  全内置预一致性测试解决方案价格经济,包括RSA306B USB频谱分析仪、SignalVu-PC及EMCVu插件、近场探头、LISN放射辐射测试天线、他励直流电机端子接线图三脚支架和线缆,大体上和EMC测试机构测试一次的费用相当。

  2018年3月13日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于德州仪器(TI)产品的推出有刷式直流电机参考设计,由DRV8701栅极驱动器、MSP430G2553IPW20超低功耗微控制器、CSD18540Q5B 60V N沟道MOSFET和LMT86DCKT精密CMOS温度传感器等器件组成。

  DRV8701ERGER是一款采用四个外部N沟道MOSFET的单一H桥栅极驱动器,面向双相逆变器驱动一个双向有刷直流电机。阶段/启用(DRV8701E)控制方案允许简单地连接到单片机电路。直流电机接交流电会转吗一个内部检测放大器允许使用外部检测电阻进行可调节的电流控制。栅极驱动器包括使用固定关断时间PWM来控制绕组电流的能力电流切断。DRV8701采用9.5 V VGS栅极驱动器驱动高端和低端FET来自一个集成的电荷泵。所有外部FET的栅极驱动电流可以是在IDRIVE引脚上配置一个外部电阻。

  MSP430G2553IPW20是一款超低功耗微控制器,由许多不同的器件组成特征。其中一些功能包括五种不同的低功耗模式,一个16位RISC CPU、16位寄存器和常量发生器。使用数字控制振荡器(DCO)MSP430G2553可以在低于1s的时间内从低功耗模式唤醒。

  CSD18540Q5B是一款60V N沟道MOSFET,RDS额定值为1.8m。该器件是功率转换应用的理想选择,因为其设计可将损耗降至最低,而SON的尺寸仅为5mm×6mm。

  LMT86DCKT是一款精密的CMOS温度传感器,利用与温度线性成反比的模拟输出电压。该器件的工作电压可低至2.2V,电源电流为5.4A,是电池供电应用的理想器。

时间:2020-07-13 18:02